超平二氧化硅基底是在超平硅晶片上熱生長(zhǎng)非晶SiO2膜(200nm厚度)。SiO2是最具特色的材料之一,廣泛用于半導(dǎo)體制造,薄膜研究和生長(zhǎng)細(xì)胞的基質(zhì),它可以直接用作AFM和SEM成像的基底。超平的Thermal二氧化硅基底是6英寸晶圓,或是切割6英寸晶圓而來(lái),切割后的尺寸分別有5x5mm,5x7mm和10x10mm芯片。6英寸晶圓采用6英寸晶圓托盤運(yùn)輸,切割后的二氧化硅片裝在Gel-Pak盒中。本產(chǎn)品在10級(jí)潔凈室條件下包裝。 
	基底的特性:
產(chǎn)品選購(gòu):
| 
				 
					貨號(hào)  | 
			
				 
					產(chǎn)品名稱  | 
			
				 
  | 
			
				 包裝  | 
		
| 
				 TP-21620-6  | 
			6英寸晶圓盒上的ø6英寸平晶片 | 盒 | 1片 | 
| 
				 TP-21620-55  | 
			5x5mm切割超平晶片 | 盒 | 25片 | 
| 
				 TP-21620-57  | 
			5x7mm切割超平晶片 | 盒 | 18片 | 
| 
				 TP-21620-510  | 
			10x10mm切割超平晶片 | 盒 | 6片 | 
| 電話 010-52571502 010-51248120 郵箱 hedebio@163.com  |